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  • CCP等離子刻蝕機(jī)

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CCP等離子刻蝕機(jī)

簡要描述:CCP等離子刻蝕機(jī)(Plasma Etcher)是一種常用于微納米加工領(lǐng)域的設(shè)備,用于對(duì)半導(dǎo)體器件、光學(xué)元件、生物芯片等材料進(jìn)行精細(xì)加工和圖案定義。其原理基于等離子體技術(shù),通過將氣體放電產(chǎn)生等離子體,利用等離子體中的離子和自由基對(duì)材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理刻蝕。

  • 產(chǎn)品型號(hào):WINETCH
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-04-08
  • 訪  問  量:1632

詳細(xì)介紹

品牌PLUTOVAC顏色白色
類別CCP刻蝕電源220V
  CCP等離子刻蝕機(jī)(Plasma Etcher)是一種常用于微納米加工領(lǐng)域的設(shè)備,用于對(duì)半導(dǎo)體器件、光學(xué)元件、生物芯片等材料進(jìn)行精細(xì)加工和圖案定義。其原理基于等離子體技術(shù),通過將氣體放電產(chǎn)生等離子體,利用等離子體中的離子和自由基對(duì)材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理刻蝕。工作原理:
 
  1.將氣體(如氟化氣體)引入反應(yīng)室,通過射頻(RF)功率源或微波源等方式對(duì)氣體進(jìn)行放電。放電過程中產(chǎn)生的電場和能量激發(fā)氣體分子,形成等離子體。
 
  2.氣體分子被激發(fā)成離子、電子和自由基等活性物種。這些活性物種對(duì)材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),如氟化、氧化、硅化等,從而改變表面化學(xué)性質(zhì)。
 
  3.離子和自由基對(duì)材料表面施加能量,導(dǎo)致材料表面原子或分子的脫除。這種物理刻蝕過程使材料表面逐漸被剝離,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精細(xì)加工和圖案定義。
 
  4.通過控制氣體種類、放電功率、反應(yīng)室壓力等參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)不同材料的選擇性刻蝕。例如,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅、氮化硅、氧化硅等材料的選擇性刻蝕。
 
  5.通常還配備真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、氣體流控制系統(tǒng)等輔助功能,以確??涛g過程的穩(wěn)定性和可控性。
等離子刻蝕機(jī)
 
  CCP等離子刻蝕機(jī)WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計(jì)的高性價(jià)比CCP等離子體系統(tǒng)。作為一個(gè)多功能系統(tǒng),它通過優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與靈活的配置方案,獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小,業(yè)的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的自動(dòng)化操作軟件使該設(shè)備操作簡便、安全,且工藝穩(wěn)定重復(fù)性佳。
 
  CCP刻蝕是一種常用的微納加工技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)器件制造,生物芯片制造等域。其原理是利用高頻交變電場產(chǎn)生等離子體,在等離子體的作用下將材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理碰撞,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的刻蝕。
 
  CCP等離子刻蝕機(jī)WINETCH刻蝕系統(tǒng)通過電容耦合(CCP)方式產(chǎn)生高密度等離子體,按掩膜(例如光刻膠掩膜)圖形、實(shí)現(xiàn)對(duì)介質(zhì)材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的選擇性刻蝕。
 
  CCP系統(tǒng)主要由以下幾部分組成:反應(yīng)腔室、下電 、噴淋頭(上電)、射頻電源、真空系統(tǒng)、預(yù)真空室、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)與軟件、配套附件等。
 
  WINETCH等離子刻蝕機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn):
 
  -刻蝕形貌好、工藝性能*
 
  -高選擇比、高刻蝕速率
 
  -低擁有成本和消耗成本
 
正文圖片.png
  WINETCH等離子刻蝕機(jī)技術(shù)參數(shù):
 
  晶圓尺寸:6/8寸兼容
 
  適用工藝:等離子體刻蝕
 
  適用材料:SiO2,Si3N4,etc.適用域:化合物半導(dǎo)體、MEMS、功率器件、科研等域
 

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